原料堆積密度和硅碳棒直晶率的關(guān)系
硅碳棒的直晶率也是反應(yīng)硅碳棒品質(zhì)的一個重要參數(shù)。因為,彎晶的存在會使硅碳棒在復(fù)合材料中的作用效果,諸如硅碳棒架橋效應(yīng)、拔出效應(yīng)等不能很好地發(fā)揮,從而不利于基體材料性能改善。因此,提高硅碳棒直晶率,減少彎晶,是很有意義的。實驗結(jié)果和文獻資料報導(dǎo)結(jié)果C)一致,即采用稻殼為原料制得的硅碳棒,其直硅碳棒率高;采用炭黑和二氧化硅混合原料制得的5iC硅碳棒,其直晶率低,彎晶較多。有人研究指出C8)s固相反應(yīng)原料內(nèi)部必須在某一維方向上維持有1DOfun以上的間隙,才能比較適合SlC硅碳棒的生長。反映固相反應(yīng)原料內(nèi)部間隙的宏觀尺度是混合原料的堆積密度。研究結(jié)果表明,固相反應(yīng)原料內(nèi)部松散很重要,當(dāng)混合原料堆料密度在.1g/3生長時,尤其在O.g/3下時,反應(yīng)料內(nèi)部空間比較適合SxC硅碳棒生長,得到的5iC硅碳棒直晶率較高。表1給出了原料堆積密度和硅碳棒直晶率的關(guān)系。采用稻殼為原料制得的硅碳棒直晶率高,就是因為稻殼的結(jié)構(gòu)和形狀為硅碳棒的生長提供了足夠的空間,碳化稻殼原料的堆積密度a.9g/cm3左右,實驗得到彎晶較少的硅碳棒。用炭黑和二氧化硅棍合,原料堆積密度在0,15gcrn3左右,反應(yīng)料內(nèi)部間隙小,因此得到的5iC硅碳棒彎晶較多。采用適當(dāng)?shù)墓に囂幚矸椒ǎ鐚⒌練ぴ线M行磨碎處理,其原料堆積密度在0.12---0,18g/rm3之間,結(jié)果得到的5iC硅碳棒也有較多彎晶,和碳黑體系中得到的硅碳棒相類似;同樣對碳和二氧化硅反應(yīng)體系進行工藝處理,使其堆料密度降到a.igr3左右,結(jié)果得到的硅碳棒直晶率有明顯提高。www.yagpc.com
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