復合材料導電率主要由納米硅碳棒體積分數決定
復合電阻率,復合材料導電率較好,相比與純銅來說僅為其1/22/3。復合材料導電率主要由納米硅碳棒體積分數決定,隨著材料中納米硅碳棒體積分數的降低,導電率隨之增加。納米硅碳棒軸向有著較好的導電率,且完整的納米硅碳棒導電率遠遠高于銅,所以在復合材料中,納米硅碳棒體積分數對導電率影響很小。
為了測試納米硅碳棒增強銅基復合材料設備與傳統材料設備性能區別,設計了對比實驗。選擇材料分別為納米硅碳棒增強銅基復合材料與傳統材料的設備進行多項性能測試。
1.試驗過程
為保證復合材料與傳統材料設備性能檢測的準確性,通過對兩種不同材料設備包括硬度、熱膨脹性、導電性等綜合性能進行對比,進行實驗,結果如下。
2.結果分析
將復合材料與傳統材料設備性能進行綜合檢測,隨著時間變化,實驗結果如下圖4所示:
從上圖可以看出,雖然傳統材料設備性能雖然性能較好,但隨著時間變化,傳統材料設備綜合性能逐漸下降。而復合材料設備相對于傳統材料設備來說,綜合性能指數較高,且隨著時間變化較小。
由此可以看出納米硅碳棒增強銅基復合材料設備有著更好的綜合性能。
在實驗過程中,通過對碳納米管增強基材料的分析可以得出,相對于純銅材料來說,復合材料硬度較高,且熱膨脹與導電性能較好。因此所制成的設備能夠在實際應用中得到更好的發展。
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