硅碳棒要滿足各項性能指標要求
2024-03-12 19:47:53 點擊：
區熔多晶硅產品純度要達到13N以上，同時硅碳棒要滿足各項性能指標要求。由于研制周期長、制備難度大，國外工藝技術完全封鎖，而國內多晶硅產業起步較晚，對高純度產品質量的過程管控、工藝技術路線及檢測分析方法等基礎性研究薄弱二本文重點分析了硅烷CVD法和改良西門子法制備區熔用多晶硅的技術路線，從產品原料控制、核心設備結構、關鍵材料、反應機理等方面進行了綜合分析，在總結不同工藝路線特點的基礎上對區熔多晶硅相關領域的發展前景進行了展望區熔用多晶硅材料是區熔硅單晶片的核心原料，其產品純度要達到13N以上，有“皇冠明珠”之美譽，其產品主要用于電子芯片、大功率整流器件及大功率晶體管等領域。目前區熔硅碳棒的制備技術主要掌握在美國和德國兩家多晶硅制造企業，全球制造多晶硅的企業有30多家，而僅有兩家公司具備區熔用多晶硅的制造能力。中國現有的巧家多晶硅企業主要以制備太陽級多晶硅為主，此項技術完全處于壟斷和封鎖階段。隨著我國人工智能、航天科技、自動化控制、大數據以及國防軍事電子信息化產業的高速發展，對高純度的區熔多晶硅依賴程度與日俱增。2019年以來，區熔多晶硅作為國防科技的關鍵材料受到較大的影響，政府方面大力支持開展相關研究開發工作，重點解決關鍵原材料的卡脖子環境?，F階段區熔用多晶硅碳棒的制備技術嚴格封鎖，國內外無任何可參考的文獻和專利資料查詢，導致基礎性研究較為薄弱，該產品除純度要求外，硅碳棒要完整，無裂紋及內部缺陷，技術難點多、難度大。目前區熔用多晶硅材料全部依賴進口，極大制約了我國集成電路、電子元器件產業的長期可持續發展。http://www.yagpc.com/
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