管狀U型硅碳棒制品的性能參數
U型硅碳棒氮化反應首先在Si顆粒表面進行,然后從向顆粒內部擴散而逐步完成。在反應初期,通過化學吸收在Si表面生成晶核,然后通過氣化冷凝過程或表面擴散,硅從周圍向晶核運動,在Si粒子表面生成致密的Sip N4層,形成交織的網狀,將未反應的Si粒和SiC顆粒支撐住,使坯體具有一定的強度。然后通過Nz向Si顆粒內部擴散并反應,使原來形成的網絡結構的Sip N4繼續發展壯大,形成一種堅硬的Si3 N,,骨架,使U型硅碳棒制品具有優良的性能。在Si熔點(1420℃)以上U型硅碳棒氮化,Nz通過多孔性的Sip N4網絡與液相熔融的Si發生氣一固一液三相反應,由于1450℃時的反應速度很快,故生成的是一種硬度和密度嘟比較高的Sip N4顆粒,而不象低溫時由須狀單晶組成的網絡。不過在直接升溫至Si熔點以上之前,坯體中應有3040%的Si已經U型硅碳棒氮化,否則所形成的結構不牢固。在11001250℃主要生成。一Sip N4,1300℃以上主要生成p一Sip N4,在通常U型硅碳棒氮化制度下是。相與歸相共存,最后形成。一SiC被。-Sip N4和卜Sip N4結合相所包圍,使U型硅碳棒制品獲得高的機械強度。
U型硅碳棒氮化工藝由于坯體中含有少量的臨時結合劑和機械水,因此,低溫階段升溫速度不能太快。而在高溫階段,主要是Si與Na反應生成Sip N4的過程,在1180℃和1280℃左右,Si與Nz反應有兩個高峰期,雜質如Fez O,的含量不同,反應高峰期的溫度可能提前或滯后。要注意控制反應速度,不宜過快,保證爐內的微正壓,否則溫度過高,會出現流硅現象,造成U型硅碳棒制品的強度降低。典型U型硅碳棒氮化燒成曲線如圖3所示。
管狀U型硅碳棒制品燒成后由國家有關部門檢驗,其理化性能參數如下:
sic含量(%):61 .32
Sip N4含量(%):29.19
殘幾含量(%):0.27
體積密度(}/crri):2.32
氣孔率(%):24
20℃時抗折強度(MPa):79.45
1280℃時抗折強度(MPa):93.48。www.yagpc.com
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