H型硅碳棒性活度衰變對(duì)一輻照?qǐng)龅挠绊?/h3>
2021-04-15 09:31:38 點(diǎn)擊：
在整個(gè)輻照試驗(yàn)運(yùn)行過(guò)程中換氣量保持在約2.0m;/h，滿(mǎn)足以每小時(shí)3倍容積的最低速度更新沉箱內(nèi)空氣的試驗(yàn)條件要求。劑量率電H型硅碳棒敏感段位于測(cè)量支架25層，該輻照空間劑量率均在0.23Gy/一0.30Gy/s (828Gy/h1080Gy/h)范圍內(nèi)，滿(mǎn)足輻照鑒定試驗(yàn)劑量率嚴(yán)酷程度要求。測(cè)量結(jié)果見(jiàn)測(cè)字第2017-D013號(hào)《檢測(cè)報(bào)告》，不確定度為80c由于輻照試驗(yàn)運(yùn)行時(shí)間較長(zhǎng)，因此H型硅碳棒性活度衰變對(duì)一輻照?qǐng)龅挠绊懯遣豢珊鲆暤囊蛩亍］椪湛臻g劑量率可由下式確定:式中:Dr一初始劑量率;t一距初始時(shí)刻的時(shí)間;入一衰變常數(shù)，等于ln2/T Z,取《檢測(cè)報(bào)告》的結(jié)果為初始劑量率，輻射源半衰期T1/2為5.27年，于2017年12月8口輻照過(guò)程結(jié)束。按(1)式計(jì)算，所在空間劑量率均在0.226Gy/一0.295Gy/s (814Gy/h1062Gy/h)范圍內(nèi)。因此在輻照試驗(yàn)的全過(guò)程中，輻照空間劑量率始終滿(mǎn)足輻照試驗(yàn)嚴(yán)酷程度要求。確定輻照時(shí)間的劑量率按電H型硅碳棒所處空間的平均值計(jì)，同時(shí)考慮了會(huì)引起偏差的性活度衰變和劑量率測(cè)量結(jié)果不確定度等因素，實(shí)際輻照時(shí)間為電H型硅碳棒累積劑量按下式確定式中:t,一開(kāi)始輻照時(shí)刻;t Z-輻照結(jié)束時(shí)刻;時(shí)刻對(duì)應(yīng)劑量率平均值;入一衰變常數(shù)。
根據(jù)輻照時(shí)間按式(2)計(jì)算累積劑量為:1046.SkG。輻照鑒定試驗(yàn)實(shí)際累積劑量在975kGy士100c范圍內(nèi)。因此，輻照時(shí)間足以保證輻照鑒定試驗(yàn)的嚴(yán)酷程度要求。試驗(yàn)結(jié)果及分析輻照老化試驗(yàn)后，對(duì)電H型硅碳棒進(jìn)行外觀檢查，檢查結(jié)果為:電H型硅碳棒外部結(jié)構(gòu)的完整性，外觀的完好。其外觀的完好性和裝配的完整性符合設(shè)計(jì)圖要求。電H型硅碳棒外包殼、端塞及其焊縫在外部水壓試驗(yàn)工況下沒(méi)有發(fā)生變形或泄漏。
室溫絕緣電阻值測(cè)量、室溫絕緣強(qiáng)度試驗(yàn)、室溫電功率和線(xiàn)電阻測(cè)量試驗(yàn)結(jié)果見(jiàn)表4。其中:室溫絕緣電阻值測(cè)量，驗(yàn)收準(zhǔn)則為絕緣電阻值應(yīng))2000MS2。室溫絕緣強(qiáng)度試驗(yàn)，驗(yàn)收準(zhǔn)則為試驗(yàn)期間不應(yīng)有放電、閃絡(luò)和擊穿現(xiàn)象，泄漏電流蒸lOmA。室溫電功率和線(xiàn)電阻測(cè)量，測(cè)量的直流電阻值應(yīng)滿(mǎn)足:S.SSZ R6.2SZ;冷態(tài)直流電阻值:5.831SZR5.884SZ;絕緣強(qiáng)度:泄漏電流蕊1.371mA。試驗(yàn)期間無(wú)放電、閃絡(luò)和擊穿現(xiàn)象;絕緣電阻值:>2000 MS2。www.yagpc.com
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