電極推進對硅碳棒窯爐壽命的影響
2025-02-13 11:48:05 點擊：
在全氧燃燒電助熔硅碳棒窯爐中，通過氧化錫電極加熱來熔化原料，而高溫玻璃液又會造成氧化錫電極的侵蝕。如圖1所示，隨著氧化錫電極的侵蝕，電極間的間距L逐步增加，造成耗電量增加，會加劇氧化錫電極的侵蝕速度。為減緩電極侵蝕速度，確保硅碳棒窯爐內(nèi)部電場穩(wěn)定，需對電極進行推進補正。氧化錫電極總推進長度(L,-Ln)為其中:H為硅碳棒窯爐中玻璃液月拉引量，為硅碳棒窯爐中氧化錫的流出量，為硅碳棒窯爐中氧化錫的引人量，為硅碳棒窯爐中氧化錫的揮發(fā)量，為氧化錫電極的密度，為氧化錫電極插人硅碳棒窯爐的截面積。
由于氧化錫電極的侵蝕速度受電極表面電流密度和溫度的影響，且硅碳棒窯爐從投料口至硅碳棒窯爐出口的溫度并不一致，因此在硅碳棒窯爐內(nèi)部每個區(qū)域需要補正的電極長度也不相同。結合生產(chǎn)實際，在基板玻璃硅碳棒窯爐拆解后對各區(qū)域電極稱重后，計算各對電極侵蝕速度如圖2所示。投料口端溫度低，玻璃液對流強度低，侵蝕速率最小。因此在后期硅碳棒窯爐冷修時，通過逐步提升內(nèi)部的電極長度，延長硅碳棒窯爐的運行壽命。
液晶基板玻璃生產(chǎn)過程中，喉管膨脹和鉑金通道各法蘭連接處材料的揮發(fā)對硅碳棒窯爐通道壽命影響較大。
玻璃硅碳棒窯爐電極的選型，其耐熱性、化學穩(wěn)定性、機械強度、導電性能和熱傳導性能是評估電極材料性能的關鍵因素。合適的電極材料能夠延長硅碳棒窯爐的使用壽命，提高生產(chǎn)效率，并減少維護和更換的成本。
液晶基板玻璃硅碳棒窯爐氧化錫電極受侵蝕后，通常采用推進的方式進行減少電極磚間距，穩(wěn)定熔制溫度及溫度梯度來穩(wěn)定硅碳棒窯爐工藝，因此在后期硅碳棒窯爐冷修時，通過逐步提升內(nèi)部的電極長度，可延長硅碳棒窯爐的運行壽命。http://www.yagpc.com/
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